コンピューター本体内の温度は一旦高くなると、往々にして部品の損傷或いはシステムのハングアップを起こてしまいます。そのため、放熱効果が良好なメモリーは、コンピューター全体の動作維持に最も重要な要素の一つです。KINGMAXでは放熱効果のメモリーモジュールに対する重要性を理解しているため、巨額資金を投入し、ナノ放熱技術をメモリーモジュールに初めて運用し、DDR3 Nano Gaming Ram 2200を発表しました。この技術を通じて、消費者の皆様は、メモリーに重いヒートシンクを備える必要がなく、軽薄短小なメモリーでも放熱効果を実現できることを体験できます。
多くのコンピュータープレイヤーは、かつてメモリーにあるICチップに触ったことがあり、その高温の手が焼けるような感覚に深い印象を持っていると思います。メモリー周波数の絶え間ないアップに伴い、高周波、高負荷動作の状況において、メモリーのワット損も徐々に上昇しています。そのためコンピューターのハードウェア内で最も重要部分の一つであるメモリーは、その放熱機能を更に軽視してはなりません。市場における大半メーカーは重いヒートシンクを取り付けてメモリーの放熱効率をアップしていますが、この方法だと往々にしてメモリーの体積及びコストが増加し、知らず知らず地球の資源を消費しています。メモリー産業の世界的なリーディングブランドであるKINGMAXグループは、低炭素環境保全の信念に基づき、率先してナノ放熱技術をオーバークロックメモリーモジュールに応用し、ICチップ表面においてナノ放熱技術を応用する方法で従来のヒートシンクに代替し、メモリー放熱技術の新しいエポックを切り開きました。
外観的に見ても、ナノ放熱技術を応用したDDR3 Nano Gaming Ram 2200メモリーは従来のメモリーと違いが無いように見えますが、非常に大きな技術が盛り込まれています。メモリの放熱効果について、我々はクロックが同じメモリーで試験を行いました。同時に「従来ヒートシンクのメモリー」、「KINGMAXヒートシンクのメモリー」及び「DDR3 Nano Gaming Ram メモリー」についてオーバークロックソフトウェア（2200MHz）の演算を行わせました。その結果、市販の従来ヒートシンクのメモリーは放熱効率が悪かったため、ソフトウェアが動作した時しばしば失敗しました。そしてKINGMAXのヒートシンクとDDR3 Nano Gaming Ramを取り付けたメモリーではスムーズに演算(図一)を行いました。その他、KINGMAXのヒートシンクを取り付けたメモリーが演算している時のICの動作温度は41±1°C（図二）で、従来のメモリーがオーバークロックの演算時に生じている45～50°Cに比べて、相対的に低温です。しかし驚くべきことに、DDR3 Nano Gaming Ramメモリーの動作温度はわずか39±1°C（図三）で、平均数値よりはるかに低くなっています。このことから分かる通り、ナノ放熱技術を通じて直接熱エネルギーをICの上から持ち出した「輻射放熱効果」は、ヒートシンクなどの媒質を通じて放熱する方法よりはるかに優れていました。関連の研究開発資料内に記載されているように、この技術の運用により、効果的に放熱効率が9.5%改善でき、DDR3 Nano Gaming Ram 2200ナノ放熱技術メモリーは確かに高クロック動作時に、安定性が極めて高く、放熱性が抜群な製品となっています。
図一：DDR3の 2200MHｚオーバークロックソフトウェアの演算テスト。
一番左側が従来のヒートシンクのあるメモリーで、真ん中がHERCULES
ナノ放熱技術のメモリーで、一番右側がKINGMAXのヒートシンクを採用
したメモリーです。試験において従来ヒートシンクのメモリーは演算時、
しばしばエラーメッセージが現れ、別の2台の演算がスムーズであった
のが分かりました。
| 図二：KINGMAXのヒートシンクを採用したメモリーは演算が 41±1°Cです。 |
図三：HERCULESナノ放熱技術を採用したメモリーの動作温度はわずか39±1°Cで、従来のメモリーモジュールがオーバークロックの演算時に生じた45～50°Cの高温に対して、はるかに低くなっています。 |
KINGMAXで生産されるメモリーモジュールは、これまでその良好な互換性、安定性及び抜群なオーバークロック性能により消費者から大好評を得ています。また現在KINGMAXでは更に最新のナノ放熱技術をメモリーモジュールに運用して、4GBのDDR3 2200デュアルチャンネルのオーバークロックメモリーモジュールを発表し、オーバークロックメモリーモジュールが高速転送の帯域幅を備え、1秒当たり17.6GBの超高演算効率に達し、オーバークロックとゲームのプレイヤーに最高の速度サポートと超速オーバークロックの楽しさを提供しています。更に比類ない放熱効率を提供し、メモリーの全体的な動作をより一層強くしました。ヒートシンクを外すと、メモリー自体が更に軽薄になり、窮屈なコンピューターケース内の空きスペースに、より内部の空気対流が増え、またより一層システムの全体的な動作の安定性に有利になります。ヒートシンクの製造材料を節約することで、また大幅に製品コストをダウンすることができます。消費者にとって、DDR3 Nano Gaming Ram 2200ナノ放熱技術を採用したメモリーは、複数の長所を持ち、絶対にお買い得品となります!!
DDR3 Nano Gaming Ram 2400MHz製品の特長
- Intel P55チップセット対応
- 最新のナノ放熱技術を採用
- 組み込み式ASICチップ偽造防止デザイン
- 鉛フリー量産工程
- 特許TinyBGATMパッケージング技術：体積が小さい/放熱が速い/低消費電力/容量が大きい/電気的妨害が小さい
- 100%製品の互換性及び安定性
- XMP対応、オーバークロック及びコンピュータープレイヤーの高転送効率の要求を満足。
DDR3 Nano Gaming Ram 2400MHz製品の仕様
- 240-pin DDR3 2400MHz
- CL値：CL10
- メモリー帯域幅：17.6Gb/sec
- 電圧：1.5v~1.8v
- 容量：4GB (2GB*2)
- メーカー永久保証