IT産業界の年中行事である台北国際コンピュータ見本市COMPUTEX 2010が順調に閉幕しました。メモリーとメモリーカードの国際的なブランド大手であるKINGMAXでは、今回の見本市において高容量、高速オーバークロックを強調した複数のメモリーとメモリーカード、USB3.0シリーズの関連製品及びスマートフォンのバッテリー、携帯電話通信の暗号化製品を展示し、来場したバイヤーたちに新しい感覚を与えました。今年発表した新品の中で、最も人々の注目を浴びたのが市場をリードする「2400MHz DDRIIIナノ放熱デュアルチャンネルのパッケージメモリーモジュール」です。オーバークロックの動作効果と4GBという高い容量を備える以外に、またナノ放熱技術をメモリーモジュールに初めて導入した革新的な製品です。

「放熱効果」は、オーバークロックのプレイヤー達が最も重視することの一つで、また各メモリーモジュールメーカーが、革新・リードを絶え間なく追求する技術課題でもあり、KINGMAXはまさにナノ放熱技術をオーバークロックメモリーモジュール製品に初めて導入した革新的な企業です。この技術は、主に微細化されたナノシリコンを平滑物品表面の微小孔隙に嵌め込んで平らにすることで、使用環境の熱伝達率を高めます。その他にも、高透過率と反射率(耐紫外線と赤外線)、耐熱性、放熱性、耐化学酸・アルカリ性、耐塩水噴霧性、耐磨耗性、電気絶縁性、撥水性なども備えています。半導体産業のパッケージ分野に運用されると、温度場の効果を有効的に解決でき、半導体の自主放熱技術を提供できます。

昔、メモリーモジュールは大抵ヒートシンクを通じて放熱効果を向上してきましたが、ハイテクのナノ放熱技術を運用することで、ヒートシンク機能として代替できるだけでなく、輻射放熱効果をアップできます。研究開発のテストデータから、この技術の運用により放熱効能を有効的に9.5%アップすることが発見され、ヒートシンク取り付けによる体積、重量及びコストを減らすことができるだけでなく、メモリー本体が更に軽くなり、更に省エネ・CO2排出減量という環境保全をアピールできます。現在同業他社が使用するヒートシンクに比べ、KINGMAXでは初めてハイテクのナノ放熱技術の製造工程を革新的に導入し、有効的にメモリーモジュールの放熱効果を向上し、従来のヒートシンクを無くし、消費者により一層経済的、エコ、高効果の製品チョイスを提供できるようになりました。

ナノ放熱技術の導入と運用を通じて、KINGMAXでは業界をリードする高容量4GBのDDRIII 2400MHzデュアルチャンネルのオーバークロックメモリーモジュールを発表しました。これは高速転送の帯域幅を備えて19.2GB/秒の超高演算効率に達するだけではなく、最適な互換性と信頼性を提供し、オーバークロック及びゲームのプレイヤー及び高効率のメモリーモジュールを良く使用するお客様は、安心してKINGMAXメモリー製品を選択でき、更に超高速のオーバークロックを楽しむことができます。

多角化経営のため、KINGMAXでは本業を引き続き深く経営していく以外に、今回の見本市において携帯電話通信の暗号化製品(KING CALL)を展示し、現行の携帯電話カードのmicroSD機能を更にアップしました。且つ昨年よりバッテリーエネルギー分野への参入を開始し、ブランドと販路の構築を通じて、自社ブランドの携帯電話バッテリーを普及していきます。2010年5月の経済誌で発表した未上場のトップ100企業の調査において、KINGMAXは民間の投資価値がある会社として64位にランキングされました。このため、既存製品の持続的なアップグレード或いは積極的に革新的な製品の開発を問わず、KINGMAXは技術の革新・リード、世界ブランドを展開する安定的な経営と配慮を続けていきます。

DDR3 Nano Gaming Ram 2400MHz製品の特長

• Intel P55チップセット対応
• 最新のナノ放熱技術を採用
• 組み込み式ASICチップ偽造防止デザイン
• 鉛フリー量産工程
• 特許TinyBGATMパッケージング技術：体積が小さい/放熱が速い/低消費電力/容量が大きい/電気的妨害が小さい
• 100%製品の互換性及び安定性
• XMP対応、オーバークロック及びコンピュータープレイヤーの高転送効率の要求を満足。

DDR3 Nano Gaming Ram 2400MHz製品の仕様

• 240-pin DDR3 2400MHz
• CL値：CL10
• メモリー帯域幅：17.6Gb/sec
• 電圧：1.5v~1.8v
• 容量：4GB (2GB*2)
• メーカー永久保証